12月19日讲座:“后摩尔材料与器件:二维电子学”

  返回9778818威尼斯官网主页   发布者:蒋红燕发布时间:2019-12-19浏览次数:150

讲座题目:“后摩尔材料与器件:二维电子学”

讲座嘉宾:王欣然(南京大学电子科学与工程学院副院长)

讲座时间:1219 18:30-20:00

讲座地点:纪忠楼报告厅

邀请人:倪振华欢迎大家参加!


摘要:

随着硅基晶体管的尺寸逐渐接近物理极限,集成电路面临着基本物理原理和高功耗等挑战。二维半导体材料具有超薄极限沟道厚度、高迁移率、能带可调控等特点,可以在5nm工艺节点以下有效抑制短沟道效应,有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革。本报告将围绕高性能、低功耗逻辑器件与集成电路这个目标,探讨二维材料选择、迁移率、接触电阻、介电层、负电容效应、材料合成、集成工艺等关键科学问题与相关最新进展。


嘉宾介绍:

王欣然,南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师、副院长。2004年本科毕业于南京大学物理系,2010年获得斯坦福大学物理学博士学位,2010-2011年在斯坦福大学和伊利诺伊大学做博士后研究。主要从事低维材料与信息器件研究,共发表SCI论文80余篇,包括20ScienceNature及子刊,论文总引用超过17000次。2014年获得国家杰出青年科学基金,2015年入选长江学者特聘教授,2016年获得中国青年五四奖章、中国青年科技奖,2017年获得国家自然科学二等奖(3/5)、中国物理学会黄昆物理奖,2019年入选万人计划领军人才。作为负责人承担973A类项目课题,国家自然科学基金重点项目、重大科研仪器研制项目等。目前担任npj 2D Materials and Applications国际学术期刊副主编,Nano Research、半导体学报、中国科学:信息科学等期刊编委。


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